Добро пожаловать в клуб

Показать / Спрятать  Домой  Новости Статьи Файлы Форум Web ссылки F.A.Q. Логобург    Показать / Спрятать

       
Поиск   
Главное меню
ДомойНовостиСтатьиДефектологияПостановка звуковФайлыКнижный мирФорумСловарьРассылкаКаталог ссылокРейтинг пользователейЧаВо(FAQ)КонкурсWeb магазинШкольникамКарта сайта

Поздравляем!
Поздравляем нового Логобуржца feia2727 со вступлением в клуб!

Реклама

КНИЖНЫЙ МИР

Short Channel Effects and Analytical Modelling of DG-MOSFET   Madhuri Panwar

Short Channel Effects and Analytical Modelling of DG-MOSFET

52 страниц. 2013 год.
LAP Lambert Academic Publishing
Since the invention of the bipolar transistor in 1947, there has been unprecedented growth of the semiconductor industry. In the last 20 years or so by far the strongest growth area of semiconductor industry has been in silicon Very Large Scale Intergration (VLSI) technology. The sustained growth in VLSI technology is fueled by continued shrinking of transistors to ever smaller dimensions. The benefits of miniaturization – higher packing densities, higher circuits speeds, and lower power dissipation-have been key in the evolutionary process leading to today’s computers and communication systems that offer superior performance dramatically reduced cost per function, and much reduced physical size, in comparison with their predecessors.
 
- Генерация страницы: 0.06 секунд -