Добро пожаловать в клуб

Показать / Спрятать  Домой  Новости Статьи Файлы Форум Web ссылки F.A.Q. Логобург    Показать / Спрятать

       
Поиск   
Главное меню
ДомойНовостиСтатьиПостановка звуковФайлыКнижный мирФорумСловарьРассылкаКаталог ссылокРейтинг пользователейЧаВо(FAQ)КонкурсWeb магазинКарта сайта

Поздравляем!
Поздравляем нового Логобуржца Nastya2016 со вступлением в клуб!

Реклама

КНИЖНЫЙ МИР

Несовершенства и активные центры в полупроводниках.   Родес Р.

Несовершенства и активные центры в полупроводниках.

371 страниц. 1968 год.
Излагаются основные сведения о физических и химических несовершенствах (дислокациях, вакансиях, термических напряжениях, примесных атомах) в наиболее распространенных полупроводниковых материалах (кремнии и германии). Рассматриваются их структура, условия возникновения, поведение при кристаллизации, деформации и термической обработке. Показано влияние несовершенств как электрически активных центров на основные полупроводниковые свойства.
 
- Генерация страницы: 0.04 секунд -