Добро пожаловать в клуб

Показать / Спрятать  Домой  Новости Статьи Файлы Форум Web ссылки F.A.Q. Логобург    Показать / Спрятать

       
Поиск   
Главное меню
ДомойНовостиСтатьиПостановка звуковФайлыКнижный мирФорумСловарьРассылкаКаталог ссылокРейтинг пользователейЧаВо(FAQ)КонкурсWeb магазинКарта сайта

Поздравляем!
Поздравляем нового Логобуржца Хетта со вступлением в клуб!

Реклама

КНИЖНЫЙ МИР

Электронные свойства дислокации в полупроводниках  

Электронные свойства дислокации в полупроводниках

84x104/32 320 страниц. 2000 год.
Едиториал УРСС
Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
 
- Генерация страницы: 0.04 секунд -