Добро пожаловать в клуб

Показать / Спрятать  Домой  Новости Статьи Файлы Форум Web ссылки F.A.Q. Логобург    Показать / Спрятать

       
Поиск   
Главное меню
ДомойНовостиСтатьиПостановка звуковФайлыКнижный мирФорумСловарьРассылкаКаталог ссылокРейтинг пользователейЧаВо(FAQ)КонкурсWeb магазинКарта сайта

Поздравляем!
Поздравляем нового Логобуржца Лен-усь со вступлением в клуб!

Реклама

На сайте снова проблемы - решаем - ждите.
Не работает АВТОРИЗАЦИЯ - вход для пользователей не возможен.
Скорее всего, проблемы решить можно только переездом на другой сервер, другой компании.
А такой переезд возможен только в следующем месяце.
Пока других решений не вижу.
Извиняюсь за неудобства.

Ваш администратор.

КНИЖНЫЙ МИР

Next Generation MRAM Development   Masood Qazi

Next Generation MRAM Development

144 страниц. 2010 год.
LAP Lambert Academic Publishing
Only recently has the possibility of a universal memory, a fast random access memory that retains its state during complete power-down, turned into a realizable opportunity. Such a memory can eliminate static power, improve system reliability in the face of power interruption, and eliminate the need for a separate FLASH memory module, reducing system component count. One candidate in the race for a universal memory is magnetoresistive random access memory (MRAM). In the development of MRAM, design challenges related to isolating memory elements, obtaining a compatible operating point with CMOS technology, and sensing data reliably have emerged. Therefore, there still exists a barrier to achieving the cost and performance characteristics of traditional volatile solid state memories---SRAM and DRAM. In this work, a 4kb MRAM array is designed to evaluate the feasibility of a promising new form of MRAM based on the phenomenon of spin torque transfer switching. The design of the test site...
 
- Генерация страницы: 0.03 секунд -